Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 232-6718
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- 232-6718
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul EconoPIM 2, 75 A von Infineon wird mit Trenchstop IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode und NTC geliefert. Das PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Brems-Chopper ermöglicht Kosteneinsparungen. Auch erhältlich mit Pressfit-Technologie. Mögliche Anwendungen umfassen Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe.
RoHS-konforme Module
Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Anzahl an Transistoren | 7 |
| Verlustleistung max. | 20 mW |
| Konfiguration | 3-phasig |
| Gehäusegröße | Modul |
| Montage-Typ | Chassismontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 31 |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
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