onsemi IGBT-Modul, 1200 V 186 W Koffer 180BF Oberfläche

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6962
Herst. Teile-Nr.:
NXH100B120H3Q0PG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

186W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

Koffer 180BF

Montageart

Oberfläche

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

NXH100B120H3Q0PG

Breite

32.8 mm

Länge

55.2mm

Höhe

13.9mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Dual Boost Power Module ist ein Leistungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und SiC-Dioden sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit zu erreichen.

1200-V-Ultrafeldstopp-IGBTs

SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung

1600-V-Bypass- und antiparallele Dioden

Niedrige induktive Anordnung

Lötbare Stifte oder Pressstifte

Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne vorinstallierte TIM

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