onsemi IGBT-Modul, 1200 V 188 W Q0PACK - Fall 180AB Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 245-6993
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gehäusegröße | Q0PACK - Fall 180AB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 55.2mm | |
| Höhe | 13.9mm | |
| Serie | NXH80T120L3Q0S3G | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gehäusegröße Q0PACK - Fall 180AB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 55.2mm | ||
Höhe 13.9mm | ||
Serie NXH80T120L3Q0S3G | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das on Semiconductor Q0PACK-Modul ist ein Leistungsmodul mit einem T-Neutralleiter, der mit einer dreistufigen Wechselrichterstufe geklemmt ist. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und Dioden mit schneller Erholung sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit zu erreichen.
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm
Optionen mit vorinstalltem thermomem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Optionen mit lötbaren Stiften und Presssitzstiften Thermistor
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