STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor, 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 275-1347
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 35A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Bi-direktional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 21mm | |
| Breite | 15.8mm | |
| Länge | 19.92mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 35A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Bi-direktional | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 21mm | ||
Breite 15.8mm | ||
Länge 19.92mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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