STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor, 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 275-1348
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
3,34 €
(ohne MwSt.)
3,97 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 123 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,34 € |
| 10 - 119 | 2,28 € |
| 120 - 509 | 2,04 € |
| 510 - 1019 | 2,00 € |
| 1020 + | 1,98 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 275-1348
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 35A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Bi-direktional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 19.92mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 21mm | |
| Breite | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 35A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Bi-direktional | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 19.92mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 21mm | ||
Breite 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 25 A Einzelkollektor 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 30 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 4 A Einzelkollektor 3-Pin TO-252 Oberfläche
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage