Semikron IGBT-Modul / 232 A ±20V max., 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 687-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GAL12T4
- Marke:
- Semikron
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Produktdetails
Einfach-IGBT-Module
SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 232 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Konfiguration | Single |
| Gehäusegröße | SEMITRANS2 |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 5 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 94 x 34 x 30.1mm |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 687-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GAL12T4
- Marke:
- Semikron
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