- RS Best.-Nr.:
- 796-5046P
- Herst. Teile-Nr.:
- GT15J341
- Marke:
- Toshiba
110 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (in Stange(n))
1,612 €
(ohne MwSt.)
1,918 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
25 - 245 | 1,612 € |
250 - 395 | 1,422 € |
400 - 795 | 1,232 € |
800 + | 1,068 € |
- RS Best.-Nr.:
- 796-5046P
- Herst. Teile-Nr.:
- GT15J341
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 15 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±25V |
Verlustleistung max. | 30 W |
Gehäusegröße | TO-220SIS |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 100kHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10 x 4.5 x 15mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 796-5046P
- Herst. Teile-Nr.:
- GT15J341
- Marke:
- Toshiba
Verwandte Produkte
- Toshiba IGBT / 60 A ±25V max. 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
- Toshiba IGBT / 50 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 20 A ±25V max. 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba TK TK20A60W5 THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
- Toshiba TK TK20A60W THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
- Toshiba IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba DTMOSIV TK10A60W THT MOSFET 600 V / 9 3-Pin TO-220SIS
- Toshiba TK TK5A60W THT MOSFET 600 V / 5 3-Pin TO-220SIS