STMicroelectronics STripFET F6 Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 70 W, 3-Pin STD35P6LLF6 TO-252

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RS Best.-Nr.:
151-911
Herst. Teile-Nr.:
STD35P6LLF6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET F6

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der mit der STripFET-F6-Technologie entwickelt wurde, mit einer neuen Trunking-Gate-Struktur. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf.

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Sehr niedrige Gate-Ladung

Hohe Lawinenbeständigkeit

Geringer Leistungsverlust bei Gate-Antrieb

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