STMicroelectronics STripFET F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 120 A 150 W, 3-Pin H2PAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
876-5660
Herst. Teile-Nr.:
STH175N4F6-2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

STripFET F6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.17mm

Länge

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

130 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.8mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ F6, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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