STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 365 W, 6 + Tab-Pin H2PAK

RS Best.-Nr.:: 111-6467
Herst. Teile-Nr.:: STH410N4F7-6AG
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 365 W, 6 + Tab-Pin H2PAK

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Herst. Teile-Nr.:: STH410N4F7-6AG
Marke:: STMicroelectronics

STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG, Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 mOhm typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	200 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	STripFET F7
Gehäusegröße	H2PAK
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6 + Tab
Drain-Source-Widerstand max.	1,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	365 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	141 nC @ 10 V
Länge	8.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.8mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 365 W, 6 + Tab-Pin H2PAK

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N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics

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