STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 365 W, 6 + Tab-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
166-0986
Herst. Teile-Nr.:
STH410N4F7-6AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

STripFET F7

Gehäusegröße

H2PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

1,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

365 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

141 nC @ 10 V

Länge

8.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

10.4mm

Höhe

4.8mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics


Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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