STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin STGSH80HB65DAG ACEPACK SMIT

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152-183
Herst. Teile-Nr.:
STGSH80HB65DAG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

ACEPACK SMIT

Serie

HB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

456nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Automotive-grade

Höhe

4.05mm

Breite

33.20 mm

Länge

25.20mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrückentopologie, die auf einem sehr kompakten und robusten Gehäuse montiert ist, das leicht auf der Oberfläche montiert werden kann. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie HB, die sowohl in der Leitfähigkeit als auch in den Schaltverlusten für sanfte Schaltung optimiert sind. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Abwärtsspannung ist in jedem Schalter enthalten.

AQG 324 qualifiziert

Hochgeschwindigkeits-Schalterserie

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Geringer Wärmewiderstand dank DBC-Substrat

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