STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

27,79 €

(ohne MwSt.)

33,07 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 927,79 €
10 - 9925,02 €
100 +23,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
152-183
Herst. Teile-Nr.:
STGSH80HB65DAG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

HB

Gehäusegröße

ACEPACK SMIT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

456nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.05mm

Normen/Zulassungen

Automotive-grade

Länge

25.20mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrückentopologie, die auf einem sehr kompakten und robusten Gehäuse montiert ist, das leicht auf der Oberfläche montiert werden kann. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie HB, die sowohl in der Leitfähigkeit als auch in den Schaltverlusten für sanfte Schaltung optimiert sind. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Abwärtsspannung ist in jedem Schalter enthalten.

AQG 324 qualifiziert

Hochgeschwindigkeits-Schalterserie

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Geringer Wärmewiderstand dank DBC-Substrat

Verwandte Links