STMicroelectronics STB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 210 W, 2-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-850
Herst. Teile-Nr.:
STB45N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Verlustleistung Pd

210W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

10.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.85mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltens auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenergeschützt

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