STMicroelectronics STB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,60 €

(ohne MwSt.)

15,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 18. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,52 €12,60 €
25 - 452,396 €11,98 €
50 - 1202,152 €10,76 €
125 - 2451,936 €9,68 €
250 +1,846 €9,23 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
192-4936
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60M6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.37mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links