STMicroelectronics STB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
192-4649
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Höhe

4.37mm

Breite

9.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Zenerdioden-geschützt

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