STMicroelectronics STB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 210 W, 2-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

6,04 €

(ohne MwSt.)

7,19 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 990 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 96,04 €
10 - 995,44 €
100 - 4995,00 €
500 +4,64 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-851
Herst. Teile-Nr.:
STB45N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

210W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.85mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltens auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenergeschützt

Verwandte Links