onsemi NXH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 129 A 371 W, 29-Pin NXH008T120M3F2PTHG PIM29

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Herst. Teile-Nr.:
NXH008T120M3F2PTHG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

129A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM29

Pinanzahl

29

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

4.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

371W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

454nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

42.5 mm

Länge

56.7mm

Automobilstandard

Nein

Der ON Semiconductor MOSFET ist ein Leistungsmodul mit einem 8 mOhm / 1200 V SiC MOSFET TNPC und einem Thermistor mit HPS DBC in einem F2-Gehäuse.

Halogenfrei

RoHS-konform

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