ROHM RV7C040BC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung -20 V / 4 A 1.1 W, 4-Pin DFN1212-3
- RS Best.-Nr.:
- 265-205
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7C040BCTCR1
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 25 Stück)*
5,35 €
(ohne MwSt.)
6,375 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,214 € | 5,35 € |
| 100 - 225 | 0,202 € | 5,05 € |
| 250 - 475 | 0,188 € | 4,70 € |
| 500 - 975 | 0,173 € | 4,33 € |
| 1000 + | 0,166 € | 4,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-205
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7C040BCTCR1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | DFN1212-3 | |
| Serie | RV7C040BC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße DFN1212-3 | ||
Serie RV7C040BC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in kompakten Anwendungen zu liefern. Sein einzigartiges bleifreies Gehäuse ermöglicht eine hervorragende Wärmeleitung und ist somit ideal für Szenarien, die eine effektive Wärmeableitung erfordern. Das Produkt zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von -20 V und einen niedrigen On-Widerstand aus, was eine effiziente Energieverwaltung gewährleistet.
Unterstützt einen großen Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen
Hervorragende Avalanche-Energieleistung gewährleistet Robustheit unter transienten Bedingungen
Kompakte Abmessungen erleichtern die Integration in miniaturisierte Schaltungen
Verwandte Links
- ROHM RV7 Typ N-Kanal 3-Pin DFN1212-3
- ROHM RV7 Typ N-Kanal 3-Pin DFN1212-3
- ROHM RQ3L270BLFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM RQ3G270BKFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM RQ3L270BKFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM RH Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8
- ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1 8-Pin HSMT-8
- Infineon FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW