ROHM RV7C040BC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung -20 V / 4 A 1.1 W, 4-Pin DFN1212-3
- RS Best.-Nr.:
- 265-205
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7C040BCTCR1
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 25 Stück)*
5,35 €
(ohne MwSt.)
6,375 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 600 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- 100 Einheit(en) mit Versand ab 11. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,214 € | 5,35 € |
| 100 - 225 | 0,202 € | 5,05 € |
| 250 - 475 | 0,188 € | 4,70 € |
| 500 - 975 | 0,173 € | 4,33 € |
| 1000 + | 0,166 € | 4,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-205
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7C040BCTCR1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | RV7C040BC | |
| Gehäusegröße | DFN1212-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie RV7C040BC | ||
Gehäusegröße DFN1212-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in kompakten Anwendungen zu liefern. Sein einzigartiges bleifreies Gehäuse ermöglicht eine hervorragende Wärmeleitung und ist somit ideal für Szenarien, die eine effektive Wärmeableitung erfordern. Das Produkt zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von -20 V und einen niedrigen On-Widerstand aus, was eine effiziente Energieverwaltung gewährleistet.
Unterstützt einen großen Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen
Hervorragende Avalanche-Energieleistung gewährleistet Robustheit unter transienten Bedingungen
Kompakte Abmessungen erleichtern die Integration in miniaturisierte Schaltungen
Verwandte Links
- ROHM RV7 Typ N-Kanal 3-Pin DFN1212-3
- ROHM RV7 Typ N-Kanal 3-Pin DFN1212-3
- ROHM RH Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3L270BKFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM RQ3G270BKFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM RQ3L270BLFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1 8-Pin HSMT-8
- Infineon FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW