ROHM RV7C040BC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung -20 V / 4 A 1.1 W, 4-Pin DFN1212-3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 25 Stück)*

5,35 €

(ohne MwSt.)

6,375 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
25 - 750,214 €5,35 €
100 - 2250,202 €5,05 €
250 - 4750,188 €4,70 €
500 - 9750,173 €4,33 €
1000 +0,166 €4,15 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
265-205
Herst. Teile-Nr.:
RV7C040BCTCR1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Serie

RV7C040BC

Gehäusegröße

DFN1212-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in kompakten Anwendungen zu liefern. Sein einzigartiges bleifreies Gehäuse ermöglicht eine hervorragende Wärmeleitung und ist somit ideal für Szenarien, die eine effektive Wärmeableitung erfordern. Das Produkt zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von -20 V und einen niedrigen On-Widerstand aus, was eine effiziente Energieverwaltung gewährleistet.

Unterstützt einen großen Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen

Hervorragende Avalanche-Energieleistung gewährleistet Robustheit unter transienten Bedingungen

Kompakte Abmessungen erleichtern die Integration in miniaturisierte Schaltungen

Verwandte Links