onsemi IGBT-Leistungsmodul / 800 A Halbbrücke, 1200 V, 11-Pin PIM11 Typ N, Typ P-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
277-059P
Herst. Teile-Nr.:
NXH800H120L7QDSG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Leistungsmodul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

800A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

PIM11

Konfiguration

Halbbrücke

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Pinanzahl

11

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

152mm

Breite

62.15 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul von ON Semiconductor verfügt über integrierte Field Stop Trench 7-IGBTs und Gen. 7-Dioden, die für geringere Leitungs- und Schaltverluste sorgen. Diese Konstruktion ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit. Das Modul ist als 1200 V, 800 A 2-in-1-Halbbrücke konfiguriert, womit es ideal für Anwendungen ist, die eine robuste Leistung und eine optimale Leistungsumwandlungseffizienz erfordern.

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