Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 610 A 333 W, 9-Pin IQD005N04NM6CGATMA1 PG-TTFN-9

Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 6-Leistungstransistor, der eine außergewöhnliche Leistung mit robuster Zuverlässigkeit kombiniert, was ihn zu einer TOP-Wahl für anspruchsvolle Anwendungen macht. Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für industrielle Umgebungen entwickelt und bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und einen beeindruckenden Dauer-Drain-Strom von bis zu 610 A. Dieses Halbleitergerät zeichnet sich durch sein thermisches Management aus, womit es ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungs-Einstellungen ist, was eine längere Lebensdauer und eine konsistente Leistung unter Last erleichtert. Das Gerät ist umweltfreundlich, RoHS-konform und halogenfrei und entspricht damit den modernen Umweltstandards bei gleichzeitig hoher technischer Qualität.

Hervorragende thermische Beständigkeit für Zuverlässigkeit