Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 445 A 333 W, 9-Pin IQD009N06NM5CGATMA1 PG-TTFN-9

Der Infineon-MOSFET ist mit einem OptiMOS 5-Leistungstransistor ausgestattet, der für einen hohen Wirkungsgrad in verschiedenen Anwendungen entwickelt wurde und einen stabilen Betrieb bei einer maximalen Spannung von 60 V bietet. Dieser N-Kanal-MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, der die Leistungsverluste erheblich reduziert und dafür sorgt, dass Ihre Designs auch unter schwierigen Bedingungen ein optimales Wärmemanagement aufweisen. Mit fortschrittlichen Lawinen-Eigenschaften und umfangreichen Tests auf Zuverlässigkeit erfüllt dieses Gerät industrielle Anwendungen, die eine überlegene Wärmebeständigkeit und robuste Leistung erfordern. Das kompakte PG TTFN 9-Gehäuse verbessert die Einfachheit der Integration in vorhandene Designs und macht es zu einer Wahl für Ingenieure, die ihre Systeme verbessern möchten.

Sehr geringer Widerstand verbessert die Effizienz