Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

RS Best.-Nr.:: 301-186
Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-021
Herst. Teile-Nr.:: IRF7507TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

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Herst. Teile-Nr.:: IRF7507TRPBF
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IRF7507 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	1,7 A; 2,4 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	MSOP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	140 mΩ, 270 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.7V
Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,3 nC @ 4,5 V, 5,4 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Höhe	0.86mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

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Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon

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