Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin MSOP
- RS Best.-Nr.:
- 301-186
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-84-021
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7507TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.40Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982 | |
| Höhe | 0.86mm | |
| Länge | 3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.40Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982 | ||
Höhe 0.86mm | ||
Länge 3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon
Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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