Infineon N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 2000 V Erweiterung / 195 A
- RS Best.-Nr.:
- 349-317
- Herst. Teile-Nr.:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 2000V | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 6.15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 6.15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- HU
Das Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET Halbbrückenmodul 2000 V, 5,2 mΩ G1 bietet das bekannte 62 mm Gehäusedesign mit M1H Chiptechnologie. Auch mit vorinstalliertem Wärmeleitmaterial erhältlich.
Hohe Stromdichte
Geringe Schaltverluste
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Robuste integrierte Body-Diode
Hohe Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung
Hochgeschwindigkeits-Schaltmodul
Symmetrischer Modulaufbau
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