Infineon Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 185 A FF3MR12KM1HHPSA1

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

665,63 €

(ohne MwSt.)

792,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +665,63 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-315
Herst. Teile-Nr.:
FF3MR12KM1HHPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

185A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Montageart

Schraubanschlussklemme

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.59V

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das 62-mm-MOSFET-Halbbrückenmodul von Infineon ist im bekannten 62-mm-Gehäuse untergebracht und kombiniert die neueste M1H-Chiptechnologie für optimale Leistung. Dieses Modul liefert eine hohe Stromdichte und ist damit ideal für Anwendungen, die kompakte und dennoch leistungsstarke Lösungen erfordern. Es bietet geringe Schaltverluste, die einen effizienten Betrieb auch bei hohen Frequenzen gewährleisten, und zeichnet sich durch eine hohe Gate-Oxid-Zuverlässigkeit aus, die eine lange Langlebigkeit gewährleistet.

Minimiert den Kühlaufwand

Verringerung von Volumen und Größe

Geringere Systemkosten

Symmetrischer Modulaufbau

Standard-Konstruktionstechnik

Verwandte Links