Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 299 A 167 W, 10-Pin PG-VITFN-10

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RS Best.-Nr.:
349-393
Herst. Teile-Nr.:
ISG0613N04NM6HATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

299A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

ISG

Gehäusegröße

PG-VITFN-10

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249‑2‑21, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit 40 V in einem skalierbaren Power-Block-Gehäuse. Zwei N-Kanal-MOSFETs im PQFN 6,3x6,0 mit sehr niedrigem RDS(on) von jeweils 0,88 mΩ mit Q1/Q2 in einer Halbbrücken-Konfiguration.

Minimierte Leitungsverluste

Reduziertes Überschwingen der Spannung

Hohe Leistungsfähigkeit

Hervorragende thermische Leistung

Geringste Schleifeninduktivität

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