onsemi UF3 N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 7.6 A 100 W, 3-Pin TO-247-3
- RS Best.-Nr.:
- 648-529
- Herst. Teile-Nr.:
- UF3C120400K3S
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, in einem Beutel mit 2)*
18,89 €
(ohne MwSt.)
22,48 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 600 Einheit(en) mit Versand ab 17. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 9,445 € | 18,89 € |
| 10 + | 9,265 € | 18,53 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 648-529
- Herst. Teile-Nr.:
- UF3C120400K3S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247-3 | |
| Serie | UF3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 515mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 20.96mm | |
| Breite | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Höhe | 5.03mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247-3 | ||
Serie UF3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 515mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 20.96mm | ||
Breite 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Höhe 5.03mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CH
Die EliteSiC-Cascode-JFETs von ON Semiconductor kombinieren einen normal eingeschalteten SiC-JFET mit einem Si-MOSFET, um ein normal ausgeschaltes Gerät in einer Cascode-Schaltkreiskonfiguration zu erstellen, das überlegene Schaltleistung und Zuverlässigkeit bietet. Zu den Vorteilen gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnellere Frequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und eine kleinere Systemgröße. Diese Geräte unterstützen Standard-Gate-Treiber, was den Austausch von Si-IGBTs und Super-Junction-Geräten vereinfacht. Ideal zum Schalten induktiver Lasten.
Ein-Widerstand RDS(ein)
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C
Ausgezeichnete umgekehrte Wiederherstellung
Niedrige Gate-Ladung