onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 1200 V / 31 A 178 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 205-2501
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL080N120SC1A
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 178W | |
| Durchlassspannung Vf | 4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.48mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 39.75mm | |
| Breite | 15.37 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 178W | ||
Durchlassspannung Vf 4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.48mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 39.75mm | ||
Breite 15.37 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
Der on Semiconductor NTH-Serie SiC N-Kanal 1200 V MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Der Dauerablassstrom beträgt 31 A.
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 110 MOhm
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
100 % UIL-geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
Gehäusetyp ist TO-247-3LD