Vishay SIRS4300DP N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-095
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
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- 653-095
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | SIRS4300DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00040Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 950μm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie SIRS4300DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00040Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 950μm | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Einfache MOSFETs der Serie SIRS4300DP von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 680 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIRS4300DP-T1-RE3
Merkmale und Vorteile:
Anwendungen
Welche Gate-Drive-Marge ist für eine zuverlässige Schaltung akzeptabel?
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?
Kann es parallel geschaltet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen?
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es während des Betriebs tolerieren?
Welche Packungsaspekte beeinflussen die Dichte des Layouts?
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