Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-095
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 653-095
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SIRS4300DP | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00040Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.10mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 6.10mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SIRS4300DP | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00040Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.10mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 6.10mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Einfache MOSFETs der Serie SIRS4300DP von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 680 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIRS4300DP-T1-RE3
Merkmale und Vorteile:
Anwendungen
Welche Gate-Drive-Marge ist für eine zuverlässige Schaltung akzeptabel?
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?
Kann es parallel geschaltet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen?
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es während des Betriebs tolerieren?
Welche Packungsaspekte beeinflussen die Dichte des Layouts?
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