Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

4,04 €

(ohne MwSt.)

4,81 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.984 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 94,04 €
10 - 243,92 €
25 - 993,84 €
100 - 4993,26 €
500 +3,06 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-096
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4300DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIRS4300DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00040Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Länge

6.10mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in PowerPAK SO-8S, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), reduzierte Gate-Ladung und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links