Vishay SIRS5700DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 144 A 278 W, 8-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

3,15 €

(ohne MwSt.)

3,75 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 93,15 €
10 - 243,05 €
25 - 992,99 €
100 - 4992,56 €
500 +2,40 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-129
Herst. Teile-Nr.:
SIRS5700DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

144A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

SIRS5700DP

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0056Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Länge

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.1 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in Systemen mit hoher Leistungsdichte entwickelt. Er unterstützt bis zu 150 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK SO-8S, nutzt es die TrenchFET Gen V-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), reduzierte Gate-Ladung und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links