Vishay SIR5812DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 45.3 A 50 W, 8-Pin SIR5812DP-T1-RE3

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RS Best.-Nr.:
653-197
Herst. Teile-Nr.:
SIR5812DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SIR5812DP

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0135Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.15 mm

Höhe

1.04mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen V ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Verpackt in einem PowerPAK SO-8, ist es ideal für DC/DC-Wandler, synchrone Gleichrichtung, Motorsteuerung und Hot-Swap-Schaltung.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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