Vishay SISS176LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin SISS176LDN-T1-UE3

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RS Best.-Nr.:
653-099
Herst. Teile-Nr.:
SISS176LDN-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SISS176LDN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0125Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.41mm

Breite

3.30 mm

Länge

3.30mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 70 V und einen durchgehenden Ablassstrom von 42,3 A ausgelegt. Er verfügt über ein kompaktes PowerPAK 1212-8S-Gehäuse für die Oberflächenmontage, womit er ideal für DC/DC-Wandler, synchrone Gleichrichtung, Motorsteuerung und Lastschaltung ist.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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