Vishay SIRA12DDP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 81 A 38 W, 8-Pin SIRA12DDP-T1-GE3 PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-144
Herst. Teile-Nr.:
SIRA12DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIRA12DDP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0036Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.15 mm

Höhe

1.04mm

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für ein hocheffizientes Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen optimiert. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in PowerPAK SO-8, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), schnelles Schalten und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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