STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche 650 V Erweiterung / 60 A 388 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 671-934
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 671-934
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.15mm | |
| Länge | 35.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.15mm | ||
Länge 35.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- IT