Infineon CoolMOS 8 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 60 A, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 690-429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R120CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPT60R120CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS 8 | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | ISO 128-30, RoHS | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS 8 | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen ISO 128-30, RoHS | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
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