STMicroelectronics STL N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 268 A 187 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 719-656
- Herst. Teile-Nr.:
- STL270N6LF7
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 3000 - 27000 | 3,06 € | 9.180,00 € |
| 30000 - 297000 | 1,992 € | 5.976,00 € |
| 300000 - 1497000 | 1,452 € | 4.356,00 € |
| 1500000 - 2997000 | 1,224 € | 3.672,00 € |
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*Richtpreis
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- 719-656
- Herst. Teile-Nr.:
- STL270N6LF7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 268A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 268A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 5mm | ||
Länge 6.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trunking-Gate-Struktur, die zu einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand führt und gleichzeitig die interne Kapazität und die Gate-Ladung reduziert, um eine schnellere und effizientere Schaltung zu ermöglichen.
Zu den niedrigsten RDS(on) am Markt
Ausgezeichnete FoM (Verdienstzahl)
Geringes Crss/Ciss-Verhältnis für EMI-Immunität
Hohe Lawinenbeständigkeit
Logikpegel VGS(th)
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