Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 64 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 735-136
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSD5806DN
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0069Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 80V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4mm | |
| Breite | 4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0069Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 80V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4mm | ||
Breite 4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 80 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und wurde speziell für den verlustarmen Betrieb in KI-Leistungsserver-Lösungen und hocheffizienten DC/DC-Wandlern entwickelt.
64 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TC=25 °C
57 W maximale Verlustleistung
Maximale Gate-Gesamtladung von 33 nC
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