Infineon Halbbrücke C Series N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET-Module 1200 V Erweiterung / 185 A 20 mW, 7-Pin

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RS Best.-Nr.:
762-898
Herst. Teile-Nr.:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET-Module

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

185A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

AG-62MMHB

Serie

C Series

Montageart

Schraubanschlussklemme

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.62mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

6.25V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.65μC

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

106.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das Infineon CoolSiC Trench MOSFET-Halbbrückenmodul verfügt über eine Nennspannung von 2000 V und unterstützt eine hohe Stromdichte. Es eignet sich für USV-Systeme, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschaltanwendungen, Solaranwendungen, Energiespeichersysteme (ESS) und DC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.

Geringe Schaltverluste

Hohe Stromdichte

Qualifiziert für industrielle Anwendungen

4 kV AC 1 min Isolierung

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