ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT

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780-679
Herst. Teile-Nr.:
RQ3L120BLFRATCB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Power-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarkes N-Kanal-Schalten für das Energiemanagement im Automobilbereich. Dieses AEC-Q101-qualifizierte Gerät wurde für ADAS- und Karosseriekontrollsysteme entwickelt und gewährleistet einen effizienten Betrieb in anspruchsvollen Fahrzeugumgebungen bis zu 150 °C.

Drain-Quellenspannung von 60 V

Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A

Typischer Einschaltwiderstand von 35 mΩ bei 10 V

Geringe Gate-Ladung von 7,5 nC für schnelles Schalten

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