Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 461 A 446 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*

262,20 €

(ohne MwSt.)

312,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
50 - 4505,244 €262,20 €
500 - 24503,259 €162,95 €
2500 - 49502,514 €125,70 €
5000 +1,704 €85,20 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
790-428
Herst. Teile-Nr.:
SIJK4610-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

461A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0012Ω

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

446W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

12mm

Breite

10mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet eine hervorragende Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit seiner robusten Konstruktion minimiert er den Leistungsverlust und bietet eine außergewöhnliche Leitfähigkeit, wodurch er sich ideal für Power-Management-Systeme eignet.

Die Nennbetriebsspannung von 60 V erhöht die Zuverlässigkeit des Systems

Geringer Einschaltwiderstand für geringere Verlustleistung

Der Kelvin-Anschluss reduziert die Gate-Rauschstörungen erheblich

Robuste kontinuierliche Ablassstromkapazität von 77 A gewährleistet optimale Leistung

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.