STMicroelectronics N-Kanal-MOSFET STH4N150 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 1.5 kV MOSFET / 2.6 A 208 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
877-308
Herst. Teile-Nr.:
STH4N150-2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.5kV

Serie

STH4N150

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

MOSFET

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal-MOSFET

Breite

4.7mm

Höhe

15.8mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung des PowerMESH entwickelt Glastechnologie Dieses Gerät wurde entwickelt, um ein hohes Maß an Spannung und Robustheit für den Automobilmarkt zu gewährleisten.

Sehr niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

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