Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 136 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 904-967
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50P04-09L_NE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
2,27 €
(ohne MwSt.)
2,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,27 € |
| 10 - 99 | 1,44 € |
| 100 - 499 | 0,96 € |
| 500 - 999 | 0,78 € |
| 1000 + | 0,71 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 904-967
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50P04-09L_NE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0094Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0094Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay wurde entwickelt, um die Leistung in Umgebungen mit hohen Temperaturen effizient zu verwalten. Mit seinen robusten Spezifikationen funktioniert es effektiv in Automobilanwendungen.
Halogenfrei, konform mit IEC 61249-2-21 für umweltfreundlichen Einsatz
Verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine effiziente Leistung gewährleistet
Qualifiziert nach AEC-Q101, erfüllt strenge Automobilstandards
Außergewöhnliche Wärmebeständigkeit für bessere Leistung bei hoher Belastung
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal 4-Pin TO-252
- Vishay SQD P-Kanal 3-Pin TO-252
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal 4-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET N-Kanal 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 10-Pin PowerPack
- Vishay SQ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Vishay SQ P-Kanal 3-Pin TO-252
