Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 107 W, 4-Pin SQD40061EL_GE3 TO-252

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RS Best.-Nr.:
178-3960
Herst. Teile-Nr.:
SQD40061EL_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

185nC

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.38 mm

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

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