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    Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    RS Best.-Nr.:
    178-3716
    Herst. Teile-Nr.:
    SQD40061EL_GE3
    Marke:
    Vishay Siliconix

    RoHS Status: Nicht zutreffend

    Ursprungsland:
    TW
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.100 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    SerieTrenchFET
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.9 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.5V
    Gate-Schwellenspannung min.1.5V
    Verlustleistung max.107 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.±20 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs185 nC @ 10 V
    Breite2.38mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge6.73mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Diodendurchschlagsspannung1.5V
    Höhe6.22mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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