2N7002,215 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 mA, 830 mW, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 103-8398
  • Herst. Teile-Nr. 2N7002,215
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 830 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –65 °C
Breite 1.4mm
Transistor-Werkstoff Si
Länge 3mm
Höhe 1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
3000 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
24000 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,023
(ohne MwSt.)
0,027
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000
0,023 €
69,00 €
6000 - 12000
0,023 €
69,00 €
15000 - 27000
0,022 €
66,00 €
30000 - 57000
0,021 €
63,00 €
60000 +
0,021 €
63,00 €
*Bitte VPE beachten