Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:
110-7170
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-979
Herst. Teile-Nr.:
BSS606NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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