DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 1 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 122-1464
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2400UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
171,00 €
(ohne MwSt.)
204,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 21.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,057 € | 171,00 € |
| 9000 + | 0,053 € | 159,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 122-1464
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2400UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 700mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 0.6mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Breite 1.25 mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Isoliert Typ N Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 1 W, 6-Pin SOT-563 DMC2400UV-7
- DiodesZetex Doppelt DMG1023 Typ P-Kanal 1 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isoliert Typ P Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 620 mA 1 W, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Doppelt DMC2710 Typ P Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 800 mA 0.8 W, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Doppelt DMG1023 Typ P-Kanal 1 6-Pin SOT-563 DMG1023UVQ-7
- DiodesZetex ZXMP10A13F Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP10A13F Typ P-Kanal 3-Pin ZXMP10A13FTA SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2 6-Pin SOT-563
