DiodesZetex Doppelt DMC2710 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 800 mA 0.8 W, 6-Pin SOT-563

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

10,35 €

(ohne MwSt.)

12,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Vorübergehend ausverkauft
  • 5.200 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 +0,207 €10,35 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
206-0057
Herst. Teile-Nr.:
DMC2710UV-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

800mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-563

Serie

DMC2710

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.8W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

1.1 mm

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101

Länge

1.55mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Ursprungsland:
CN
Der komplementäre DiodesZetex-MOSFET für den Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit 0,46 W Wärmeverlustleistung.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links

Recently viewed