BSS138 N-Kanal MOSFET, 50 V / 220 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: GB
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 220 mA
Drain-Source-Spannung max. 50 V
Drain-Source-Widerstand max. 3,5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 360 mW
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,7 nC @ 10 V
Höhe 0.93mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 2.92mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.3mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Anzahl der Elemente pro Chip 1
12000 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
51000 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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