onsemi NDS0605 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 169-8538
Herst. Teile-Nr.:: NDS0610
Marke:: onsemi

onsemi NDS0605 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: NDS0610
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	NDS0605
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.8nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	360mW
	Durchlassspannung Vf	-1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.93mm
	Länge	2.92mm
	Breite	1.3 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie NDS0605
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 360mW
	Durchlassspannung Vf -1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.93mm
	Länge 2.92mm
	Breite 1.3 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.